A szakemberek állítólag egy olyan tranzisztort fejlesztettek ki, amely 30 százalékkal gyorsabb a jelenlegi leggyorsabb PMOS tranzisztornál. Mindezt úgy valósították meg, hogy felhasználták a cég által fejlesztett "Fully Depleted Silicon-on-Insulator" technológiát. Mindemellett az AMD mérnökei létrehoztak egy "feszített-nyújtott szilícium"-alapú tranzisztort is, amely a fémrácsoknak köszönhetően, mintegy 20-25 százalékkal nagyobb teljesítményre képes a hagyományos "nyújtott szilícium" tranzisztorokhoz képest.

A vállalat a két új fejlesztést tekinti a processzor-ütemtervében leírtak megvalósításához szükséges kulcselemeknek. Az új technológiák bemutatkozására azonban csak 2005 után lehet számítani. A részleteket a június 11 és 12-e között, Kyotóban (Japán) megrendezett VLSI Szimpóziumon ismerteti majd az AMD.