A Samsung már korábban bejelentette, hogy tervezik a 3 nm-es node-jukat, amelynél a FinFET tranzisztorstruktúrát a GAAFET fogja váltani. Az utóbbi, Gate All Around FET, azaz nanohuzalos technológiára a skálázhatóság megőrzése miatt van szükség, mivel a 3 nm-es csíkszélesség már túl kicsi lesz ahhoz, hogy a FinFET működjön. Azóta tervezhetők is a 3 nm-es dizájnok, mára pedig a dél-koreai óriáscég elkészíthette a világ első, 3 nm-es GAAFET félvezetőjét – számolt be róla a Korean Maeil Economy.
Mindez lényeges tényező, ugyanis a Samsung jelenleg is ragaszkodik ahhoz, hogy 2021-ben megkezdik a tömeggyártást a 3 nm-es node-jukon, amihez nagyjából mostanra mindenképpen szükségessé vált az első prototípus. Enélkül nehezen lehetne továbblépni a fejlesztést tekintve, és a következő évre vonatkozó céldátum sem lenne realitás.
A riport szerint a 3 nm-es eljárás a Samsung aktuálisan legfontosabb projektje, és a vállalat erre építi majd a jövőjét, amelyen belül 2030-ra a legnagyobb félvezetőgyártóvá szeretnének válni.
