A Samsung bejelentette az 5 nm-es, EUV litográfiát alkalmazó, FinFET node-jának elkészültét, amelynél a kísérleti gyártás várhatóan még idén beindul, de a tömeggyártás majd csak jövőre esedékes, utóbbival kapcsolatban azonban még nincs pontos dátum.
Az új 5 nm-es eljárás a cég szerint 10%-kal nagyobb teljesítményt, 20%-kal alacsonyabb fogyasztást, illetve 25%-kal jobb helykihasználást tesz lehetővé, ami lényegében nagyobb tranzisztorsűrűséget jelent a 7 nm-es EUV node-hoz viszonyítva. Arról nincs adat, hogy a Samsung ezeket milyen lapkával mérte, elképzelhető, hogy egyszerű gyűrűs oszcillátorral, aminél azért a valós fejlesztések rosszabb eredményeket szoktak hozni, de ez normális.
Készül egyébként egy 6 nm-es EUV node is, ami gyakorlatilag a 7 nm-es eljárás továbbfejlesztése, szakszóval a half-node-ja. Ez hamarabb elérhető lesz, és a Samsung szerint egy lapka már készül is rá. Ez az eljárás egy kollaboráció eredménye, amit a cég egy partnerével hozott össze, így valószínűleg olyan sok megrendelőt nem fog érdekelni.
A vállalat azt is elárulta, hogy az év második felére bővülni fog a hwaseongi gyár S3 üzemének gyártókapacitása, ahol az EUV litográfiát alkalmazó node-ok érhetők el, így a dél-koreai óriáscég több lapkát tud majd legyártani.
