A Samsung az iparágon belül elsőként vezette be a GAAFET tranzisztorstruktúrát, amely a 3 nm-es 3GAE node-dal már hozzá is férhető a megrendelők számára. Technikailag az eljárás alkalmas a tömeggyártásra, de egyelőre kínai, kriptovaluta-bányászattal foglalkozó cégek használják bizonyos ASIC-ekhez, ami persze így is tapasztalatot ad a dél-koreai vállalat számára.
A szóban forgó node második generációs verziója lesz a 3GAP, amelynek a tömeggyártása még idén megkezdődik, és a Samsung szerint a kihozatala is jónak tűnik a 60-70% közötti értékkel. Ez már egy olyan szint, amit bonyolultabb lapkák kapcsán is érdemes meggondolni, és a hírek szerint egy HPC-piacra, illetve egy ultramobil szintre fejlesztett lapka is készül majd rajta.
A 3GAP-t relatíve gyorsan követi majd a 3GAP+ node, ami felfogható egyfajta továbbfejlesztésnek, 2025-ben pedig érkezik a Samsung első 2 nm-es eljárása.
