Hirdetés

Konkurenséhez mérten jobb 3 nm-es kihozatalról beszélt a Samsung

Ez akár még lehetséges is, hiszen a GAAFET tranzisztorstruktúra előnynek számít a cég kezében.

A Kukmin Ilbo nevű koreai napilap arról írt, hogy a Samsung a 3 nm-es gyártási eljárást tekintve a TSMC előtt jár kihozatalban. A dél-koreai óriáscég konkrétan 60%-os eredményről számolt be, ami valóban nagyobb a tajvaniak 55%-ra becsült arányánál.

Az egész még hihető is, mivel a TSMC 3 nm-en maradt a FinFET tranzisztorstruktúránál, amely ilyen csíkszélességen nehezen skálázódik, miközben a Samsung merészen GAAFET-re váltott, és emiatt könnyebben javíthatják a kihozatalt.

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés