A Samsung kapcsán manapság az 5 nm-es eljárás van a középpontban, hiszen ennek bevezetése már a küszöbön áll, viszont sok partner azért fél szemmel kémleli a 3 nm-es GAAFET node-ot is. A koreai Digital Daily azonban készített egy friss riportot, amelyben azt állítják, hogy a dél-korai óriáscég tervez még egy 4 nm-es eljárást is, ráadásul különálló formában. Ez azt jelenti, hogy a 4 nm nem az 5 nm-es gyártástechnológia úgynevezett half-node-ja lesz, hanem egyfajta utolsó lépcső a FinFET-en.
A 4 nm-nek ilyen szempontból van értelme, mivel a TSMC is egy kicsit lelassította a GAAFET-re való átállást, így azt 2 nm-en ejtik meg, vagyis terveznek még egy 3 nm-es különálló FinFET eljárást, és a Samsung lényegében erre tud reagálni a saját megoldásával. Ez már csak a biztonsági tényezők miatt sem lényegtelen, mert egy új tranzisztorstruktúra kapcsán sok a kérdőjel, és a bevezetésével kapcsolatban azért lehetnek gondok.
A fentebb linkelt írás szerint a 4 nm-es node tömeggyártására leghamarabb 2022-ben van esély.
