A Samsung leleplezte a hatodik generációs V-NAND lapkáját, amely az elődhöz képest már nem 96, hanem 136 cellaréteget használ, viszont marad a cellánkénti három bit tárolása, azaz TLC-s megoldásokról van szó.

Az új, 256 gigabites kapacitású fejlesztés 670 millió vertikális csatornát használ, ami elég komoly előrelépés a korábbi megoldás 930 milliós paraméteréhez képest, és mindez olcsóbb gyártást tesz lehetővé, amihez még hozzá jön a cellarétegek számának emeléséből származó előny, így egységnyi területen nagyjából 40%-kal több bitnyi információ tárolható el. Az előző generációhoz viszonyítva 15%-kal kisebb az energiaigény is, illetve az adatok írására vonatkozó késleltetés 10%-kal javult, konkrétan 450 mikromásodpercre, míg olvasás során ez 45 mikromásodperc. Mindkettő az eddigi legjobb érték, amit a Samsung elért.

A Samsung szerint az új V-NAND flashmemóriához használt architektúra jelentős skálázási előnyt tesz lehetővé számukra, mivel 300 cellaréteg fölé is tudnak menni úgy, ha három stacket egymás fölé helyeznek.

A friss V-NAND lapkára a Samsung új, 250 GB-os SSD-je épít először, amely a szintén új S4LR030/S94G4MW2 jelölésű vezérlőt kapja meg. A vállalat szerint az év második felében érkezik egy 512 gigabites verzió is a 136 cellarétegű TLC-s V-NAND flashmemóriából, ami majd a nagyobb kapacitású SSD-kben, illetve az eUFS adattárolókban találhat helyet magának.