A Samsung bejelentette, hogy megkezdte a 40 nm-es gyártástechnológiával készülő DDR3 szabványra épülő memórialapkák tömegtermelését, melyek 2 gigabites kapacitással rendelkeznek. A dél-koreai óriáscég a világon elsőként kínál ilyen paraméterekkel rendelkező chipeket. A hivatalos közlemény szerint az 50 nm-es gyártósorokhoz viszonyítva a termelés hatékonysága akár 60%-kal is javulhat.
A vállalat első 40 nm-es memórialapkája még január folyamán gördült le a kísérleti gyártósorról, így a tömegtermelés megkezdése alig hét hónapot vett igénybe, ami nagyszerű eredmény. A Samsung szerint ez az OEM gyártóknak különösen örömteli a hír, hiszen a jövőben megjelenő rendszereik esetében több időt fordíthatnak az új memóriák kalibrálására, vagy akár a termék megjelenését is előrébb hozhatják.
A 2 gigabites DDR3 chipek először a 4, a 8 és a 16 GB-os RDIMM (Registered Dual In-line Memory Module) memóriákra kerülnek, amik a szerverek piacát célozzák meg. Természetesen a jövőben az asztali számítógépek számára emészthető UDIMM (Unregistered Dual In-line Memory Module) és a notebookok által használt SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) formában is elérhetők lesznek az új fejlesztések. Ennek megfelelően hamarosan eljön 4 GB-os modulok kora.
Az új 2 gigabites lapka a Samsung szerint amellett, hogy gyors, rendkívül energiatakarékos is. A vállalat szerint a chip 1,35 V-os feszültségen 1,6 gigabit/másodperces sebességre képes, ami meglehetősen jó eredmény.
