A Seoul Economic Daily információi szerint a Samsung jövőre kínálna olyan V-NAND flash lapkát, amely 300 cellaréteg fölé megy. Ezzel a cég tartja a lépést a nagy riválisnak számító SK Hynixszel, amely vállalat már prezentálta saját, 321 cellarétegű megoldását.

A hírek szerint ugyanakkor amíg az SK Hynix három NAND tömbből állítja elő a fejlesztését, addig a Samsung két NAND tömböt fog használni, tehát tömbökre levetítve az utóbbi cég több cellaréteget használ majd. A két koncepció az elvi működést tekintve hasonlóan jó lehet, de a gyártás szempontjából már eltérő hátrányokkal kell számolni. Igazából a kettőnél több tömb sem optimális, de az sem, ha egy tömb 150 cellarétegnél többet alkalmaz, tehát itt számos érv és ellenérv ütközik a dizájnokkal kapcsolatban, és látható, hogy a gyártók véleménye sem egyezik ebből a szempontból.

Az első bekezdésben említett média riportja szerint a Samsung új V-NAND megoldásának gyártása a következő év során kezdődhet meg.