A Samsung a február közepén esedékes ISSCC rendezvényen prezentálná új QLC 3D NAND flash lapkáját, amely a 280 cellarétegével az igen komoly adatsűrűségre megy rá. A vállalat egészen pontosan 28,5 gigabit/mm²-es paramétert irányzott elő, ami egészen komoly szám.
Az adatsűrűség tekintetében legjobbnak tekinthető 3D NAND flash memórialapkák jelenleg nagyjából maximum 20 gigabit/mm²-t kínálnak, vagyis a Samsung új rekordot fog felállítani, amit egyelőre nem fognak megközelíteni a konkurensek.
A V9-es, 1 TB-os QLC 3D NAND flash chip egyébként az IO teljesítményt is 3,2 GB/s-ra növeli, ami egyébként több a korábban ígért 2,4 GB/s-os paraméternél, vagyis a vállalat új megoldása a korábban vártnál jobban sikerült.
