A CES rendezvénnyel kapcsolatban a Samsung már az első napon rárepült az AI-ra, és az alábbi írásukban részletezték, hogy milyen technológiákkal szolgálnák ki az új igényeket. Ezek ugyanakkor nem számítanak újdonságnak, hiszen már meglévő szabványokra épülő új dizájnokról lenne szó. Feltűnik viszont egy LLW DRAM nevezetű valami, amiről csak annyit árult el a dél-koreai óriáscég, hogy úgynevezett Low Latency Wide I/O memória lesz, ami alacsony késleltetésre és nagy, 128 GB/s-os teljesítményre lesz optimalizálva, konkrétan 1,2 pJ/bit paraméterrel.

Sajnos ennél bővebben nem beszélt erről a vállalat, de időközben utánajártunk, hogy a koncepció hátterében LPDDR-hez hasonló memória áll, csak a szóban forgó szabványnál szélesebb I/O kapcsolatra tervezve. Ennek a haszna elsődlegesen az energiahatékonyság, ugyanis a szélesebb memóriabusz a relatíve kisebb órajellel párosítva jobb fogyasztást biztosít, miközben a memória-sávszélesség alapvetően nagy maradhat. Ugyanakkor nem véletlen, hogy a Samsung ezzel direkten az AI eszközöket célozza, elvégre a szélesebb memóriabusz hátránya a komplexitás, ami végeredményben nagyobb gyártási költségeket fog eredményezni, így végfelhasználói szintre kevésbé alkalmas rendszerről lesz szó.

Az első LLW DRAM valamikor az év végén mutatkozhat be, azt viszont nehéz megjósolni, hogy mennyire karolja majd fel a piac. Az előzetes paramétereit tekintve van keresnivalója az AI eszközök szegmensében.