A The Electronic Times friss információi szerint a Samsung felgyorsítja a hetedik generációs V-NAND lapkájának fejlesztését, amely az elődhöz képest már nem 136, hanem 160, vagy még több cellaréteget is használhat.
Valószínűleg a legelső modell esetében a rétegezés megáll 160-nál, de a lényeg a jobb skálázhatóságon van, amit az úgynevezett double-stack technológia fog biztosítani. Ez a jelenleg használt single-stack eljárásnál annyiban különbözik, hogy egy helyett két alkalommal hozzák létre azokat a kis elektronnyílásokat, amelyeken keresztül az áram eljut az egyes áramköri elemekhez. Lényegében ennek köszönhető a jobb skálázhatóság, vagyis a mostani lehetőségekhez képest viszonylag sok cellaréteg alkalmazása.
A hetedik generációs Samsung V-NAND lapkák várhatóan az év vége felé érkeznek majd meg, de ez egyelőre nem megerősített adat.
