Csupán néhány nap van hátra az Intel Bearlake kódnevű chipsetcsaládjának bemutatkozásáig, melynek egyik újdonsága, hogy a DDR2-n kívül a DDR3 memóriákat is kezeli. A G33, G35 és P35 jelű lapkák hivatalosan a DDR3-1066 sebességet támogatják, a későbbre várt X38-as csúcsmodell azonban már 1333 MHz-es DDR3-támogatást is biztosít. Ennek fényében nem meglepő, hogy a memóriagyártók is technológiaváltásra készülnek, még ha ez nem is zajlik le túl gyors ütemben. Az elemzők szerint 2008 végére a leszállított DRAM modulok mintegy negyede lesz DDR3-as, és az új technológia csak 2010-ben válik uralkodóvá.
Amint az Intel minősítési eljárásán eddig átesett chipek táblázata is mutatja, a gyártók 512 megabit és 1 gigabit kapacitású lapkákkal indítanak, és egyelőre kivárnak a magasabb órajeleken, illetve kisebb késleltetési értékekkel működtethető chipek tömeggyártásával. A váltás kezdetben valószínűleg nem jár (jelentős) gyorsulással, ám a DDR3 modulok kevesebb energiával is beérik, mint DDR2-es elődeik, hiszen 1,8 helyett 1,5 volt a szabványos tápfeszültségük.
A DDR3 chipek és modulok különösen nagy választékával hódító Samsung még ebben a negyedévben beindítja a tömegtermelést. A DDR3 lapkák első generációját közösen fejlesztő Nanya és Qimonda már szállítja egyszerűbb, 512 megabites chipjeit a partnereknek, nagy tételben azonban csak 2007 második felében lesz elérhető a teljes termékválaszték. Ők egyébként utaltak arra is, hogy a tervezéskor a túlhajtás szempontjait is szem előtt tartották.
Az Elpida az asztali PC-kbe való memóriák mellett más szegmensekre is felhívja a figyelmet: már szállítja noteszgépekbe való, energiatakarékosabb SO-DIMM moduljait, és előkészületben van a szerverekbe szánt, regiszteres DDR3 modulok gyártása is. Az újabb, 70 nm-es csíkszélességgel előállított 1 gigabites chiptől azt várják, hogy könnyedén teljesíti majd a DDR3-1600-as sebességet is.
A Hynix a harmadik negyedévben indítja be a tömegtermelést – kezdetben 80 nm-es csíkszélességgel, de 2007 végére már a 66 nm-es gyártósorokon is. Később csatlakozik a klubhoz a Micron, mely 1 gigabit kapacitású lapkáinak sorozatgyártását 2008 elejére ígéri – hozzátéve, hogy akkortájt már 2 gigabites DDR3 chipje is készen lesz.
Az Intel által tanúsított DDR3 lapkák | |||
Gyártó Chip kódjele |
Kapacitás | Órajel | Késleltetés CL-tRCD-tRP |
Elpida EDJ5308BASE-8A-E |
512 Mb | 800 | 5-5-5 |
Elpida EDJ5308BASE-AE-E |
512 Mb | 1066 | 7-7-7 |
Elpida EDJ5308BASE-AC-E |
512 Mb | 1066 | 7-7-7 |
Hynix HY5TQ1G831ZNFP-G7 |
1 Gb | 1066 | 7-7-7 |
Hynix HY5TQ1G831ZNFP-S5 |
1 Gb | 800 | 5-5-5 |
Hynix HY5TQ1G831ZNFP-S6 |
1 Gb | 800 | 6-6-6 |
Hynix HY5TQ1G831ZNFP-G8 |
1 Gb | 1066 | 8-8-8 |
Micron MT41J128M8BY-25E |
1 Gb | 800 | 5-5-5 |
Micron MT41J128M8BY-25 |
1 Gb | 800 | 6-6-6 |
Micron MT41J128M8BY-187E |
1 Gb | 1066 | 7-7-7 |
Micron MT41J128M8BY-187 |
1 Gb | 1066 | 8-8-8 |
Qimonda IDSH51-03A1F1C-08D |
512 Mb | 800 | 5-5-5 |
Qimonda IDSH51-03A1F1C-10F |
512 Mb | 1066 | 7-7-7 |
Qimonda IDSH51-03A1F1C-08E |
512 Mb | 800 | 6-6-6 |
Qimonda IDSH51-03A1F1C-10G |
512 Mb | 1066 | 8-8-8 |
Nanya NT5CB64M8AN-AC |
512 Mb | 800 | 5-5-5 |
Nanya NT5CB64M8AN-BE |
512 Mb | 1066 | 7-7-7 |
Samsung K4B1G0846C-ZCE7 |
1 Gb | 800 | 5-5-5 |
Samsung K4B1G0846C-ZCF8 |
1 Gb | 1066 | 7-7-7 |
Samsung K4B1G0846C-ZCF7 |
1 Gb | 800 | 6-6-6 |
Samsung K4B510846E-ZCF7 |
512 Mb | 800 | 6-6-6 |
Samsung K4B1G0846C-ZCG8 |
1 Gb | 1066 | 8-8-8 |
Samsung K4B510846E-ZCG8 |
512 Mb | 1066 | 8-8-8 |
Samsung K4B510846E-ZCE7 |
512 Mb | 800 | 5-5-5 |
Samsung K4B510846E-ZCF8 |
512 Mb | 1066 | 7-7-7 |
Forrás: Intel