Az Egyesült Államok szankciói erőteljesen fogják a kínai memóriagyártókat, így olyan ellenszélben kell fejlődniük az érintetteknek, ami speciális stratégiát igényel. A DigiTimes értesülései szerint ugyanakkor a CXMT (ChangXin Memory Technologies) és a YMTC (Yangtze Memory Technologies) is lépéseket tett a megfelelő jövőkép érdekében.

A DRAM-ban utazó CXMT beindította a tömeggyártást a 18,5 nm-es gyártástechnológiáján, méghozzá a hofeji üzemben. A termelés elérheti a havi százezer wafert, és még idén lesz egy bővítés, ami további negyvenezer wafer feldolgozását teszi majd lehetővé. Ezzel összességében a teljes DRAM-piac nagyjából 10%-át is le lehet fedni.

Mivel az USA a 18 nm-es vagy modernebb node-ok tekintetében alkalmaz korlátozást, a kínai cég ezt kvázi kikerülheti, így a készülő új chipek technikailag megfelelhetnek a kereskedelmi előírásoknak.

A NAND flash lapkákat fejlesztő YMTC egy 120 cellarétegű 3D NAND flash dizájnon dolgozik, ami szintén pont alatta van az USA 128 cellarétegre vonatkozó limitjének. Elméletben tehát az is teljesítheti a kereskedelmi előírásokat, de a tömeggyártás beindításával még várja a cég az Egyesült Államok jóváhagyását.