A Samsung bejelentette, hogy a következő esztendő második felétől lesz majd elérhető tömeggyártás szintjén a második generációs 3 nm-es, illetve a nagyobb teljesítményre optimalizált 4 nm-es node.

[+]

Az SF3 nevű 3 nm-es eljárás az SF3E-ben bevezetett GAAFET tranzisztorstruktúrát használja, de alkalmasabb lesz a komplexebb chipdizájnokra, így több potenciális partnert érdekelhet. A 4 nm-es SF4X opció viszont marad a FinFET tranzisztorstruktúránál, ugyanakkor a paraméterezése leginkább a HPC-piacra tervezett lapkákhoz lesz szabva, és ilyen szempontból a TSMC mellett a Samsung is kínálni fog ennyire specifikus jellegű node-ot.