Tavasszal írtunk arról, hogy a Samsung fél terabájtos memóriamodullal készül a DDR5-re, és az idei Hot Chips alkalmával ezt a fejlesztést mutatta be részletesebben a dél-koreai óriáscég.
Ahogy a korábbi hírben már említettük, ezt a félelmetesen nagy kapacitást úgy sikerült elérni, hogy a memórialapkák vertikálisan egymásra vannak tokozva, méghozzá TSV (Through Silicon Via) érintkezők által. A részleteket tekintve megjegyzendő, hogy maga a technológia nem újdonság, alkalmazta már a Samsung a DDR4 memóriáinál is, de amíg a korábbi szabványnál négy lapka került egymásra, addig a DDR5 esetében már nyolccal dolgoznak, ráadásul a kétszer több memórialapka ellenére is csökkent a teljes memóriapakk magassága, méghozzá 1,2 mm-ről 1 mm-re. Ezt úgy érték el, hogy a memórialapkák jóval vékonyabbak, illetve a köztük lévő rés is nagyjából 40%-kal kisebb.
[+]
A DDR5 szabvány általános újítása, hogy a memóriamodulok felelnek a saját feszültségszabályozásukért, vagyis ez a teher lekerül az alaplapok válláról. Ehhez persze szükség van egy PMIC-re a modulon, amit a Samsung korábban szintén bemutatott. A PMIC hatékonysága alapvetően meghatározza majd a memóriamodul fogyasztását, hiszen minél jobban tudja tartani a szabványhoz közeli üzemfeszültséget, annál alacsonyabb lesz a működéshez szükséges energiaigény. A Samsung szerint a saját PMIC megoldásukkal, illetve a szabvány által előírt alacsonyabb üzemfeszültség által 16%-kal csökken a DDR5 modulok fogyasztása a DDR4-hez viszonyítva. Ez azonban nem minden, ugyanis a vállalat az új memórialapkáit már HKMG eljárással gyártja, amelyből további 14%-ot nyernek. Ilyen formában összesen 30%-os az előrelépés az előző generációhoz képest.
A Samsung az 512 GB-os, szerverekbe szánt memóriamoduljának gyártását még idén megkezdi, és állításuk szerint ez lesz az iparág első fél terabájtos, 7,2 GHz-es effektív órajelű DDR5 memóriája.
