A Samsung új útitervet prezentált a Samsung Foundry Forum 2023 alkalmával, amelynek keretében felvázolták az érkező gyártástechnológiák várható megjelenését. A vállalat a 3 nm-es GAAFET node utódjának számító 2 nm-es, SF2 nevű eljárást 2025-ben teszi elérhetővé a partnerek számára, és az új gyártástechnológia 25%-kal jobb energiahatékonyságot, 12%-kal kedvezőbb teljesítményt, illetve 5%-kal előnyösebb tranzisztorsűrűséget kínál a 3 nm-hez viszonyítva.
Az SF2 2026-ban kap egy SF2P verziót, amit a Samsung kifejezetten a teljesítménycentrikus lapkákhoz szán, így leginkább a HPC-piacra készülő chipek készülhetnek rajta. Az autóipar is kap egy saját változatot SF2A jelzéssel, de ennek az elérhetősége csak 2027-ben lesz esedékes.
Az 1,4 nm-es node-ot is tervezi már a dél-koreai óriáscég, amelynek a tömeggyártása leghamarabb 2027-ben kezdődhet meg.
