A TSMC amellett, hogy gőzerővel dolgozik a 28 nm-es gyártókapacitás növelésén, a 20 nm-es fejlesztésekről sem feledkezett meg. A vállalat útiterve korábban két 20 nm-es node-ról árulkodott. Ezek egységesen High-K dielektrikumú fém alapú kapuelektródákat alkalmaznának a Replacement Metal-Gate, azaz ismertebb nevén a gate last megvalósítással. Szokás szerint az egyik dizájn alacsony fogyasztásra optimalizált megoldás lenne (LP), míg a másik a magas teljesítményt helyezné előtérbe (HP).
Shang-Yi Chiang, a tajvani bérgyártó alelnöke azonban elmondta, hogy 20 nm-en már kevés lehetőség adódik az egyes dizájnok specifikus finomhangolására, így a TSMC megváltoztatta korábbi útitervét, így csupán egy 20 nm-es node-ot készítenek gate last HKMG megvalósítással. Ebből tulajdonképpen nem lehet gond, illetve maga az ötlet nem is annyira megvetendő tekintve, hogy a gyártástechnológia fejlődésével egyre kevesebb lehetőség adódik a jelentősen eltérő node-ok kialakítására.
A TSMC a későbbi tervekről is beszélt. A vállalat korábban már ecsetelte, hogy 20 nm után a következő full node a 14 nm lesz, mely áttér a FinFET tranzisztorokra, emellett bevezetné az EUV, azaz az extrém ultraibolya sugárzású litográfiát is. A technológia folyamatos fejlődésével nyilvánvalóan egyre kisebbek lesznek az áramkörök, így nehézkessé válik a szilíciumostyák feldolgozása. A jelenleg használt litográfiai eljárások a 14 nm-es csíkszélesség esetén már nem megbízhatóak, így az újítás gyakorlatilag elkerülhetetlen.
Ezzel egyetemben sajnos az EUV litográfia implementálása nagyon költséges és nehézkes, így a 14 nm-es node drága lesz. A TSMC éppen ezért kínál majd olcsóbb 18 és 16 nm-es node-okat is, melyek a jelenleg is használt 193 nm-es immerziós litográfiát fogják alkalmazni. Shang-Yi Chiang szerint utóbbi alkalmazása megoldható lehet a 14 nm-es node-hoz is, ha az EUV litográfia mégsem lenne bevethető. Az 193 nm-es immerziós litográfiával azonban némely rétegeknél háromszoros, míg sok rétegnél kétszeres mintázást kellene alkalmazni, hogy biztosítható legyen a megfelelő minőség. Ez viszont borzalmasan költséges megoldás, vagyis elsődlegesen az EUV litográfia bevezetése a cél.
